হার্ডওয়্যার ইঞ্জিনিয়ারদের অনেকগুলি প্রকল্প হোল বোর্ডে সম্পন্ন হয়, তবে দুর্ঘটনাক্রমে পাওয়ার সাপ্লাইয়ের ইতিবাচক এবং নেতিবাচক টার্মিনালগুলিকে সংযুক্ত করার ঘটনা রয়েছে, যার ফলে অনেক ইলেকট্রনিক উপাদান পুড়ে যায় এবং এমনকি পুরো বোর্ডটি ধ্বংস হয়ে যায় এবং এটি করতে হয়। আবার ঢালাই করা, আমি এটা সমাধান করার ভাল উপায় কি জানি না?
প্রথমত, অসাবধানতা অনিবার্য, যদিও এটি শুধুমাত্র ইতিবাচক এবং নেতিবাচক দুটি তারের পার্থক্য করার জন্য, একটি লাল এবং একটি কালো, একবার তারে লাগানো যেতে পারে, আমরা ভুল করব না; দশ সংযোগ ভুল হবে না, কিন্তু 1,000? 10,000 সম্পর্কে কি? এই সময়ে এটা বলা মুশকিল, আমাদের অসতর্কতার কারণে কিছু ইলেক্ট্রনিক যন্ত্রাংশ এবং চিপস পুড়ে যায়, এর প্রধান কারণ হ'ল কারেন্ট খুব বেশি অ্যাম্বাসেডর উপাদানগুলি ভেঙে যায়, তাই আমাদের অবশ্যই বিপরীত সংযোগ রোধে ব্যবস্থা নিতে হবে। .
নিম্নলিখিত পদ্ধতিগুলি সাধারণত ব্যবহৃত হয়:
01 ডায়োড সিরিজ টাইপ অ্যান্টি-রিভার্স সুরক্ষা সার্কিট
ফরোয়ার্ড কন্ডাকশন এবং রিভার্স কাটঅফের ডায়োডের বৈশিষ্ট্যের পূর্ণ ব্যবহার করার জন্য একটি ফরোয়ার্ড ডায়োড পজিটিভ পাওয়ার ইনপুটে সিরিজে সংযুক্ত থাকে। সাধারণ পরিস্থিতিতে, সেকেন্ডারি টিউব সঞ্চালন করে এবং সার্কিট বোর্ড কাজ করে।
যখন পাওয়ার সাপ্লাই বিপরীত হয়, ডায়োডটি কেটে যায়, পাওয়ার সাপ্লাই একটি লুপ গঠন করতে পারে না এবং সার্কিট বোর্ড কাজ করে না, যা কার্যকরভাবে পাওয়ার সাপ্লাই সমস্যা প্রতিরোধ করতে পারে।
02 রেকটিফায়ার ব্রিজ টাইপ অ্যান্টি-রিভার্স প্রোটেকশন সার্কিট
পাওয়ার ইনপুটকে নন-পোলার ইনপুটে পরিবর্তন করতে রেকটিফায়ার ব্রিজ ব্যবহার করুন, পাওয়ার সাপ্লাই সংযুক্ত বা বিপরীত হোক, বোর্ড স্বাভাবিকভাবে কাজ করে।
যদি সিলিকন ডায়োডের চাপ 0.6~0.8V হয়, জার্মেনিয়াম ডায়োডেও প্রায় 0.2~0.4V এর চাপ কমে যায়, যদি চাপের ড্রপ খুব বড় হয়, তাহলে MOS টিউবটি অ্যান্টি-রিঅ্যাকশন চিকিত্সার জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে, এমওএস টিউবের চাপ ড্রপ খুব ছোট, কয়েক মিলিওহম পর্যন্ত, এবং চাপ ড্রপ প্রায় নগণ্য।
03 এমওএস টিউব অ্যান্টি-রিভার্স সুরক্ষা সার্কিট
MOS টিউব প্রক্রিয়ার উন্নতি, এর নিজস্ব বৈশিষ্ট্য এবং অন্যান্য কারণের কারণে, এর পরিচালনার অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ ক্ষমতা ছোট, অনেকগুলি মিলিওহম স্তরের, বা এমনকি ছোট, যাতে সার্কিটের ভোল্টেজ ড্রপ, সার্কিট দ্বারা সৃষ্ট শক্তি হ্রাস বিশেষত ছোট, বা এমনকি নগণ্য , তাই সার্কিট রক্ষা করার জন্য এমওএস টিউব বেছে নিন একটি আরও প্রস্তাবিত উপায়।
1) NMOS সুরক্ষা
নীচে দেখানো হিসাবে: পাওয়ার-অন করার মুহুর্তে, এমওএস টিউবের পরজীবী ডায়োডটি চালু হয় এবং সিস্টেমটি একটি লুপ গঠন করে। উৎস S-এর সম্ভাব্যতা প্রায় 0.6V, যখন G-এর সম্ভাব্যতা হল Vbat। এমওএস টিউবের খোলার ভোল্টেজ অত্যন্ত: Ugs = Vbat-Vs, গেটটি উচ্চ, NMOS-এর ds চালু আছে, পরজীবী ডায়োড শর্ট-সার্কিট, এবং সিস্টেমটি NMOS-এর ds অ্যাক্সেসের মাধ্যমে একটি লুপ গঠন করে।
বিদ্যুৎ সরবরাহ বিপরীত হলে, NMOS-এর অন-ভোল্টেজ 0 হয়, NMOS কেটে যায়, পরজীবী ডায়োড বিপরীত হয় এবং সার্কিট সংযোগ বিচ্ছিন্ন হয়, এইভাবে সুরক্ষা তৈরি করে।
2) PMOS সুরক্ষা
নীচে দেখানো হিসাবে: পাওয়ার-অন করার মুহুর্তে, এমওএস টিউবের পরজীবী ডায়োডটি চালু হয় এবং সিস্টেমটি একটি লুপ গঠন করে। উৎস S এর সম্ভাব্যতা প্রায় Vbat-0.6V, যখন G গেটের সম্ভাব্যতা হল 0। MOS টিউবের খোলার ভোল্টেজ অত্যন্ত: Ugs = 0 – (Vbat-0.6), গেটটি নিম্ন স্তরের হিসাবে আচরণ করে , PMOS এর ds চালু আছে, পরজীবী ডায়োড শর্ট সার্কিট করা হয়েছে, এবং সিস্টেম PMOS এর ds অ্যাক্সেসের মাধ্যমে একটি লুপ গঠন করে।
যদি বিদ্যুৎ সরবরাহ বিপরীত হয়, NMOS-এর অন-ভোল্টেজ 0-এর বেশি হয়, PMOS কেটে যায়, পরজীবী ডায়োড বিপরীত হয় এবং সার্কিট সংযোগ বিচ্ছিন্ন হয়, এইভাবে সুরক্ষা তৈরি করে।
দ্রষ্টব্য: NMOS টিউব স্ট্রিং ডিএসকে নেগেটিভ ইলেক্ট্রোড, PMOS টিউব স্ট্রিং ডিএসকে ইতিবাচক ইলেক্ট্রোডে, এবং পরজীবী ডায়োডের দিক সঠিকভাবে সংযুক্ত বর্তমান দিকের দিকে।
এমওএস টিউবের ডি এবং এস মেরুগুলির অ্যাক্সেস: সাধারণত যখন এন চ্যানেল সহ এমওএস টিউব ব্যবহার করা হয়, তখন কারেন্ট সাধারণত ডি পোল থেকে প্রবেশ করে এবং এস পোল থেকে প্রবাহিত হয় এবং পিএমওএস প্রবেশ করে এবং ডি এস থেকে প্রস্থান করে। মেরু, এবং বিপরীতটি সত্য যখন এই সার্কিটে প্রয়োগ করা হয়, এমওএস টিউবের ভোল্টেজ অবস্থা পরজীবী ডায়োডের পরিবাহনের মাধ্যমে পূরণ করা হয়।
যতক্ষণ পর্যন্ত G এবং S খুঁটির মধ্যে একটি উপযুক্ত ভোল্টেজ প্রতিষ্ঠিত হয় ততক্ষণ পর্যন্ত MOS টিউবটি সম্পূর্ণরূপে চালু থাকবে। সঞ্চালনের পরে, এটি D এবং S এর মধ্যে একটি সুইচ বন্ধ করার মতো এবং বর্তমানটি D থেকে S বা S থেকে D পর্যন্ত একই প্রতিরোধের।
ব্যবহারিক প্রয়োগে, জি মেরুটি সাধারণত একটি প্রতিরোধকের সাথে সংযুক্ত থাকে এবং এমওএস টিউবকে ভেঙে যাওয়া প্রতিরোধ করার জন্য, একটি ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রক ডায়োডও যোগ করা যেতে পারে। একটি বিভাজকের সমান্তরালে সংযুক্ত একটি ক্যাপাসিটরের একটি সফট-স্টার্ট প্রভাব রয়েছে। যে মুহুর্তে বিদ্যুৎ প্রবাহ শুরু হয়, ক্যাপাসিটর চার্জ করা হয় এবং G পোলের ভোল্টেজ ধীরে ধীরে তৈরি হয়।
PMOS-এর জন্য, NOMS-এর তুলনায়, Vgs-এর থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের চেয়ে বেশি হওয়া প্রয়োজন। কারণ খোলার ভোল্টেজ 0 হতে পারে, ডিএসের মধ্যে চাপের পার্থক্য বড় নয়, যা NMOS-এর চেয়ে বেশি সুবিধাজনক।
04 ফিউজ সুরক্ষা
অনেক সাধারণ ইলেকট্রনিক পণ্য ফিউজ দিয়ে পাওয়ার সাপ্লাই অংশ খোলার পরে দেখা যায়, পাওয়ার সাপ্লাই বিপরীত হয়, বড় কারেন্টের কারণে সার্কিটে একটি শর্ট সার্কিট হয় এবং তারপরে ফিউজটি উড়ে যায়, সুরক্ষায় ভূমিকা পালন করে। সার্কিট, কিন্তু এইভাবে মেরামত এবং প্রতিস্থাপন আরও ঝামেলাপূর্ণ।
পোস্টের সময়: জুলাই-০৮-২০২৩
